报告从微纳制造的国家战略需求出发，指出后摩尔时代传统“自上而下”的光刻工艺正逼近物理极限，晶体管结构经历了从平面MOSFET到FinFET再到GAA的三次革命，制程节点已推进至3nm乃至2nm，成本高昂且受限于二维平面制造和材料相容性。在此背景下，“自下而上”的分子自组装成为微纳制造的重要方向。DNA纳米技术凭借原子级精度、纳米尺度、碱基互补配对和序列可设计等优势，有望突破传统光刻加工极限，但实现从微观图案到厘米级乃至晶圆级制造仍面临巨大挑战。

围绕这一难题，研究团队在框架核酸的宏观界面组装、矿化加固与图案化调控方面取得一系列进展。团队发展了气液界面诱导的二维DNA折纸聚合物宏观组装技术，实现了多种几何构型的厘米级DNA图案化模板；构建了高精度DNA纳米结构矿化技术，通过新型硅烷试剂实现亚纳米级的矿化壳层厚度调控；开发了基于离子浓度调控的DNA薄膜气液界面变构技术，进一步丰富了DNA二维结构图案化库。这些工作为“自下而上”构建原子级精度微纳图案提供了廉价快速的新方法，并在纳米压印模板、超高分辨刻蚀掩膜和晶圆级功能器件中展现出潜在应用前景。

林云霄还结合半导体制造的实际需求，探讨了DNA技术与现有工艺的兼容性问题，并寻求与纳米压印、垂直向工艺、刻蚀补偿等新工艺的结合。他介绍了嵌段共聚物导向自组装（DSA）和纳米压印（NIL）等可借鉴的发展历史，指出DNA纳米技术的发展有望为纳米压印技术应用于更小节点制造提供基础。在芯片制造瓶颈方面，他提出DNA作为纳米互连精密模板、DNA介导封装与三维互连等路径，对标混合键合工艺，探索无焊点的垂直+水平互连方案。

在互动环节，现场同学围绕DNA纳米技术的产业化前景、交叉学科研究的方法论、联合培养博士、个人学术成长等话题，与嘉宾展开深入探讨。林云霄鼓励学弟学妹们保持对基础科学的好奇心，勇于跨越学科边界，将个人研究兴趣与国家战略需求相结合，在科研道路上脚踏实地、久久为功。